РАН Минобрнауки РФФИ РНФ
  • English (UK)
Логотип ИНЭОС РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт элементоорганических соединений им. А. Н. Несмеянова
Российской академии наук (ИНЭОС РАН)		 Здание ИНЭОС РАН
  • Вход

    • Авторизация

      • Забыли пароль?
      • Забыли логин?
      • Регистрация
  • Новости
    • Общие новости
  • История
    • Историческая справка
    • Награды и премии
    • Музей А.Н.Несмеянова
    • Директора ИНЭОС
    • Выдающиеся ученые
  • Научная деятельность
    • Ученые советы
    • Тематика исследований
    • Защита диссертаций
    • Конференции
    • Лекции
    • Изобретения
    • Выставки
    • Конкурсы
    • Семинары
    • Планы и отчеты
    • Журнал ИНЭОС Open
    • Журнал «Фторные заметки»
    • Вакансии
  • Администрация
    • Дирекция
    • Ученый секретариат
    • Противодействие коррупции
  • Подразделения
    • Металлоорганика
    • Элементоорганика
    • ВМС
    • Физхимия
    • Вспомогательно-научные
    • Прочие
  • Сотрудники
    • А–З
    • И–М
    • Н–Р
    • С–Ф
    • Х–Я
  • Обучение
    • Аспирантура
    • Докторантура
    • Отдел НОЦ
  • Услуги
    • Основные направления
    • Методы
    • ЦИСМ ИНЭОС РАН
    • НТЦ КР
    • Научная стажировка
  • Контакты

Обучение

  • Аспирантура
    • История
    • Учебный процесс
    • Поступающим
    • Внебюджетная аспирантура
    • Портфолио аспирантов 2018 г.
    • Портфолио аспирантов 2017 г.
    • Портфолио аспирантов 2016 г.
    • Портфолио аспирантов 2015 г.
    • Кандидатские экзамены
    • Веснянка
    • Начинающий ученый
    • Основополагающие документы
    • Нормативные документы
  • Докторантура
  • Отдел НОЦ

Для поступающих в аспирантуру

  • Печать

Вниманию поступающих в аспирантуру ИНЭОС РАН!

Приказ Минобрнауки России от 15 июня 2020 года № 726.

Контрольные цифры приема на 2020/2021 учебный год: 12 человек на бюджетные места и 8 на внебюджетные. Подано 19 заявлений от поступающих в аспирантуру.

Расписание вступительных экзаменов по специальности 2020 г.
Результаты поступления в бюджетную аспирантуру ИНЭОС РАН в 2019 г.
Результаты поступления в договорную аспирантуру ИНЭОС РАН в 2019 г.
  • Программы вступительных экзаменов
    • Органическая химия
    • Физическая химия
  • Заявление о допуске к вступительным испытаниям и участию в конкурсе
    для поступления в очную аспирантуру ИНЭОС РАН
  • Памятка для поступающего в аспирантуру
  • Положение об экзаменационной комиссии
  • Положение об апелляционной комиссии
  • Положение о приемной комиссии
  • Порядок приема
  • Права аспирантов ИНЭОС РАН
  • Обязанности и ответственность аспирантов ИНЭОС РАН

© ИНЭОС РАН, 2011–2020.  119991, ГСП-1, Москва, 119334, ул. Вавилова, 28.  Тел. (499) 135-92-02, факс (499) 135-50-85, e-mail  

РегистрацияПочтовый сервер ИНЭОС РАН

Информация на сайте обновляется не реже одного раза в неделю.

Поступающим