РАН Минобрнауки РФФИ РНФ
  • English (UK)
Логотип ИНЭОС РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт элементоорганических соединений им. А. Н. Несмеянова
Российской академии наук (ИНЭОС РАН)
Здание ИНЭОС РАН
  • Вход
    • Авторизация

      • Забыли пароль?
      • Забыли логин?
      • Регистрация
  • Новости
    • Общие новости
  • История
    • Историческая справка
    • Награды и премии
    • Музей А.Н.Несмеянова
    • Директора ИНЭОС
    • Выдающиеся ученые
  • Научная деятельность
    • Ученые советы
    • Тематика исследований
    • Защита диссертаций
    • Конференции
    • Лекции
    • Изобретения
    • Выставки
    • Конкурсы
    • Семинары
    • Планы и отчеты
    • Журнал ИНЭОС Open
    • Журнал «Фторные заметки»
    • Вакансии
  • Администрация
    • Дирекция
    • Ученый секретариат
    • Противодействие коррупции
    • Антимонопольная политика
    • Антитеррор
  • Подразделения
    • Металлоорганика
    • Элементоорганика
    • ВМС
    • Физхимия
    • Вспомогательно-научные
    • Прочие
  • Сотрудники
    • А–З
    • И–М
    • Н–Р
    • С–Ф
    • Х–Я
  • Обучение
    • Аспирантура
    • Докторантура
    • Отдел НОЦ
  • Услуги
    • Основные направления
    • Методы
    • ЦКП
    • НТЦ КР
    • Научная стажировка
  • Контакты

Обучение

  • Аспирантура
    • История
    • Учебный процесс
    • Поступающим
    • Целевое обучение
    • Внебюджетная аспирантура
    • Лекции для аспирантов
    • Кандидатские экзамены
    • Веснянка
    • Начинающий ученый
    • Основополагающие документы
    • Нормативные документы
  • Докторантура
  • Отдел НОЦ

Для поступающих в аспирантуру

  • Печать

 

Внимание!

Прием документов осуществляется строго согласно перечню, представленному на сайте и в памятке «Поступающим в аспирантуру»

 

Перечень необходимых документов для поступления:

  • заявление (по форме) на имя директора Института, заполненное в электронном виде, необходимо направить электронной почтой на адрес до 15 июля 2025 года (включительно);
  • служебная записка от зав. лабораторией на имя директора (см. Памятку);
  • РЕФЕРАТ по теме научного направления подготовки с отзывом научного руководителя, выбранного для поступления в аспирантуру или копии статей;
  • копию диплома и вкладыша;
  • рекомендацию кафедры или характеристику с последнего места работы/научного руководителя;
  • медицинскую справку 086у;
  • справку из психоневрологического диспансера (Трудовой кодекс, ст. 214);
  • копию паспорта с пропиской;
  • две фотографии;
  • картонную папку-скоросшиватель.

 

Вниманию поступающих в аспирантуру ИНЭОС РАН!

Приказ Минобрнауки России от 28.12.2024 №986 Контрольные цифры приема на 2025/2026 учебный год: 15 человек на бюджетные места и 3 на внебюджетные.

Приложение №3.457 к приказу Минобрнауки России от 28.12.2024 №986 Контрольные цифры приема по группам научных специальностей и (или) научным специальностям для обучения по программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре (адъюнктуре) за счет бюджетных ассигнований федерального бюджета на 2025/2026 учебный год

Приказ Минобрнауки России от 06.08.2021 года №721 c изменениями и дополнениями от 30.10.2023 г. «Об утверждении Порядка приема на обучение по образовательным программам высшего образования — программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре».

Приказ Минобрнауки России от 01.03.2023 г. № 231 «Об утверждении особенностей приема на обучение в организации, осуществляющие образовательную деятельность, по программам бакалавриата, программам специалитета, программам магистратуры и программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре (адъюнктуре), предусмотренных частями 7 и 8 статьи 5 Федерального закона от 17 февраля 2023 г. № 19-ФЗ "Об особенностях правового регулирования отношений в сферах образования и науки в связи с принятием в Российскую Федерацию Донецкой Народной Республики, Луганской Народной Республики, Запорожской области, Херсонской области и образованием в составе Российской Федерации новых субъектов - Донецкой Народной Республики, Луганской Народной Республики, Запорожской области, Херсонской области и о внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации».

  • Программы вступительных экзаменов
    • Органическая химия
    • Физическая химия
  • Заявление о допуске к вступительным испытаниям и участию в конкурсе
    для поступления в очную аспирантуру ИНЭОС РАН
  • Памятка для поступающего в аспирантуру
  • Положение об экзаменационных комиссиях
  • Положение об апелляционных комиссиях
  • Положение о приемной комиссии
  • Порядок приема
  • Права аспирантов ИНЭОС РАН
  • Обязанности и ответственность аспирантов ИНЭОС РАН
  • Заявление о согласии на зачисление
  • Справка о приеме документов
  • Титульный лист Реферата

© ИНЭОС РАН, 2011–2024.  119334, Москва, ул. Вавилова, д. 28, стр. 1.  Тел. (499) 135-92-02, факс (499) 135-50-85, e-mail  

РегистрацияПочтовый сервер ИНЭОС РАН

Информация на сайте обновляется не реже одного раза в неделю.

Поступающим